輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100)。
加熱器斷線檢測功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點端子臺x2。
尖峰電流功能。
可防止同時打開輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運行成本Q172HBCBL1M-B使用方法。
同時升溫功能。
使多個回路同時達到設置值，以進行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運行成本Q172HBCBL1M-B
自動調整功能。
可在控制過程中自動調節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動調整成本（時間、材料和電能）。
可靈活進行各種設置，實現(xiàn)佳溫度控制的溫度調節(jié)模塊Q172HBCBL1M-B使用方法。
針對擠壓成型機等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設備，
溫度調節(jié)模塊具有防過熱和防過冷的功能。
可根據(jù)控制對象設備，選擇標準控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結合了標準控制和加熱-冷卻控制）。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出軟元件點數(shù)：8192點。
程序容量：30K步。
基本運處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內存容量：120KB。
外圍設備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程Q172HBCBL1M-B使用方法。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準確獲取高速信號，為裝置的更加化作出貢獻。
通過多CPPU進行高速、機器控制Q172HBCBL1M-BEMC。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通通信（周期為0.88ms）的并列處理，實現(xiàn)高速控制Q172HBCBL1M-BEMC。
多CPU間高速通信周期與運動控制同步，因此可實現(xiàn)運算效率大化。
此外，新的運動控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、的機器控制。