運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：1200K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制RD62P2原理及應(yīng)用。程序容量從40K步到1200K步，可選擇適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本RD62P2
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍RD62P2原理及應(yīng)用。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無(wú)需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。輸入輸出模塊安裝臺(tái)數(shù)：8臺(tái)。
可安裝模塊：MELSEC iQ-R系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號(hào)：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×328mm×32.5mm。
用于安裝MELSEC iQ-R系列各種模塊的基板模塊。
無(wú)法在擴(kuò)展基板模塊上安裝CPU模塊。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
額定輸入電壓、頻率：DC24V。
額定輸入電流：6.0mA。
響應(yīng)時(shí)間：5μs～70ms。
公共端方式：8點(diǎn)/公共端（負(fù)極公共端）據(jù)輸入電壓、輸入點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊RD62P2原理及應(yīng)用。
1個(gè)模塊配備多種功能。
可通過(guò)單個(gè)輸入模塊，以1點(diǎn)為單位設(shè)定高速響應(yīng)、中斷輸入功能。
此外，可按模塊的公共端自由選擇正極公共端/負(fù)極公共端。
無(wú)需按輸入規(guī)格和功能使用不同的模塊，減少了模塊數(shù)量，
因此插槽占用數(shù)量可比以往減少20%、部署成本可比以往降低60%。輸入輸出模塊安裝臺(tái)數(shù)：5臺(tái)。
可安裝模塊：MELSEC iQ-R系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號(hào)：R6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：101mm×245mm×32.5mm。
用于安裝MELSEC iQ-R系列各種模塊的基板模塊。
無(wú)法在擴(kuò)展基板模塊上安裝CPU模塊。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出形式：晶體管（源型）輸出。
額定開(kāi)閉電壓、電流：-。
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載電流：0.5A/點(diǎn)。
響應(yīng)時(shí)間：1ms以下。
公共端方式：16點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過(guò)載、過(guò)熱）：有。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，
包括所用用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型RD62P2FB參考。

可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊RD62P2FB參考。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過(guò)了解該繼電器觸點(diǎn)的開(kāi)關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。