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Q3MEM-BAT表示含義三菱Q3MEM-BAT型號(hào)的意義

國家: 日本
產(chǎn)品名稱: SRAM卡用電池
型號(hào): Q3MEM-BAT
市場價(jià): ¥460
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三菱 Q3MEM-BAT
Q3MEM-BAT產(chǎn)品特點(diǎn)及功能介紹:
輸入電壓范圍:AC100-240V。
輸出電壓:DC5V。
輸出電源:6A。
簡化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能,在程序上的任意步,
將軟元件值更改為用戶值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí),需要追加設(shè)定軟元件的程序,
而目前通過使用本功能,無需更改程序,即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作Q3MEM-BAT
因此,不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序,調(diào)試操作更簡單。
通過軟元件擴(kuò)展,更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件多可擴(kuò)展到60K點(diǎn),使程序更容易理解。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器(Flash ROM)中,
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外,還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM,
以避免在長假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí),
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時(shí),備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。連接讀寫1ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上,
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個(gè)天線,還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動(dòng)化ID系統(tǒng)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲(chǔ)容量。輸出:6通道。
輸入(分辨率):0~4000;-4000~4000;0~12000;-12000~12000;-16000~16000。
輸出:DC-12V~12V;0~22mA。
轉(zhuǎn)換速度:6ms/通道。
40針連接器。
通道之間隔離。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實(shí)現(xiàn)高隔離電壓的同時(shí),
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過程控制提供支持。
流量計(jì)、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入,
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器,硬件和安裝成本得以大幅降低。
高緣強(qiáng)度耐壓。
可隔離電氣干擾,例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。1軸,SSCNET連接型。
控制單位:mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù):600個(gè)數(shù)據(jù)/軸。
40針連接器。
輕松實(shí)現(xiàn)高速、的定位控制。
支持多種類型的定位控制,
包括2 ? 4軸直線插補(bǔ)、2軸圓弧插補(bǔ)、速度控制、速度/位置切換控控制、路徑控制、等速控制等。
此外,可使用“ GX Configurator-QP”等軟件,
方便地地進(jìn)行定位設(shè)置、監(jiān)視和調(diào)試等。
在通過 SSCNET 電纜連接節(jié)省了配線的同時(shí),
總電纜距離長可達(dá) 30m。
此外,支持通過原點(diǎn)返回?cái)?shù)據(jù)設(shè)置操作來確定原點(diǎn)位置的對位置系統(tǒng)。
無需對近點(diǎn)擋塊等進(jìn)行配線。
Q3MEM-BAT操作手冊/說明書/選型樣本下載地址: /searchDownload.html?Search=Q3MEM-BAT&select=5


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