輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：260K步。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：1040KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）Q35DB使用方法。
存儲(chǔ)卡I/F：SD存儲(chǔ)卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界Q35DB
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程Q35DB使用方法。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制Q35DB使用方法。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率大化。
此外，新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、的機(jī)器控制。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：124k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
多重化用CPU(協(xié)同處理器裝載)。
指令執(zhí)行所需的時(shí)間和用戶程序的長(zhǎng)短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)掃描的過(guò)程中，故障診斷時(shí)間，
通信時(shí)間，輸入采樣和輸出刷新所占的時(shí)間較少，
執(zhí)行的時(shí)間是占了大部分。
光電耦合器由兩個(gè)發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級(jí)管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號(hào)，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號(hào)變化規(guī)律相同的光信號(hào)。
輸入接口電路工作過(guò)程：當(dāng)開(kāi)關(guān)合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號(hào)。
當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號(hào)。
也就是通過(guò)輸入接口電路把外部的開(kāi)關(guān)信號(hào)轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號(hào)。
光電三級(jí)管：在光信號(hào)的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號(hào)的強(qiáng)弱有關(guān)。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸輸出信號(hào)與輸入信號(hào)有線性關(guān)系Q35DBEMC。
用戶程序存儲(chǔ)容量：是衡量可存儲(chǔ)用戶應(yīng)用程序多少的指標(biāo)標(biāo)Q35DBEMC。
通常以字或K字為單位。16位二進(jìn)制數(shù)為一個(gè)字，
每1024個(gè)字為1K字。PLC以字為單位存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個(gè)字。定時(shí)/計(jì)數(shù)，
移位指令占2個(gè)字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個(gè)字。