手動(dòng)肪沖發(fā)生器/INC同步編碼器輸入：
可使用臺(tái)數(shù)：3臺(tái)/1個(gè)模塊。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界Q6BAT怎么安裝。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程Q6BAT
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q6BAT怎么安裝。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。三相4線式。
測(cè)量電路數(shù)：3個(gè)電路。
測(cè)量項(xiàng)目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡(jiǎn)單地測(cè)量多種能量信息的電能測(cè)量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測(cè)量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測(cè)量輸出設(shè)備所使用量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測(cè)量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測(cè)量Q6BAT怎么安裝。
例如，可使用一個(gè)模塊測(cè)量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。三相4線式。
測(cè)量電路數(shù)：1個(gè)電路。
測(cè)量項(xiàng)目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡(jiǎn)單地測(cè)量多種能量信息的電能測(cè)量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測(cè)量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測(cè)量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運(yùn)行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)內(nèi)的電量Q6BATEMC。
在一個(gè)插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測(cè)量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測(cè)量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測(cè)量Q6BATEMC。
例如，可使用一個(gè)模塊測(cè)量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。