輸出點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點(diǎn)；2A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：1ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型Q50UDEHCPU使用方法。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶浪涌吸收器。
帶保險(xiǎn)絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間Q50UDEHCPU
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間Q50UDEHCPU使用方法。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能Q50UDEHCPU使用方法。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)Q50UDEHCPU(應(yīng)用功能)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域Q50UDEHCPU(應(yīng)用功能)。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高Q50UDEHCPU(應(yīng)用功能)。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm輸入輸出點(diǎn)數(shù)：512點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù):8192點(diǎn)。
程序容量：28k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段：按用戶(hù)程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令令，
經(jīng)相應(yīng)的運(yùn)算和處理后，其結(jié)果再寫(xiě)入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變Q50UDEHCPU使用方法Q50UDEHCPU編程手冊(cè)。
輸出刷新階段：當(dāng)所有指令執(zhí)行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過(guò)一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅(qū)動(dòng)相應(yīng)輸出設(shè)備工作。