SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：64KB。
E2PROM容量：64KB。輸入輸出點數：4096點。
輸入輸出軟元件點數：8192點。
程序容量：130K步Q04UDVCPU參數設置。
基本運處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內存容量：520KB。
外圍設備連接端口：USB、以太網（通信協義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴展SRAM卡Q04UDVCPU
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界Q04UDVCPU參數設置。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域Q04UDVCPU參數設置。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間Q04UDVCPU(常見的指令)。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準確獲取高速信號，為裝置的更加化作出貢獻。
通過多CPU進行高速、機器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實現高速控制Q04UDVCPU(常見的指令)。
多CPU間高速通信周期與運動控制同步，因此可實現運算效率大化。
此外，新的運動控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、的機器控制Q04UDVCPU(常見的指令)。輸入輸出點數：2048點。
輸入輸出數據設備點數：8192點。
程序容量：92k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.15μS。
指令執行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執行速度是有很大關系，
一般來說，一個掃描的過程中，故障診斷時間，
通信時間，輸入采樣和輸出刷新所占的時間較少，
執行的時間是占了大部分。
光電耦合器由兩個發光二極度管和光電三極管組成。
發光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發光二極管就產生與輸入信號變化規律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程：當開關合上，二極管發光，
然后三極管在光的照射下導通，向內部電路輸入信號。
當開關斷開，二極管不發光，三極管不導通。向內部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關信號轉化成PLC內部所能接受的數字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導通，導通程度與光信號的強弱有關。
在光電耦合器的線性工作區內，輸出信號與輸輸入信號有線性關系Q04UDVCPU結構化編程手冊。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應用程序多少的指標標Q04UDVCPU參數設置。
通常以字或K字為單位。16位二進制數為一個字，
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數據。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數，
移位指令占2個字。數據操作指令占2~4個字。