8槽。
主基板需要配CPU和電源。
需要1個電源模塊。
用于安裝Q系列模塊。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊QD70P8基礎知識。
可地滿足開關、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機、驅(qū)動器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領域的控制需求QD70P8
還可與CPU模塊組合使用，實現(xiàn)恰如其分的控制QD70P8基礎知識。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設備點數(shù)：8192點。
程序容量：124k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
多重化用CPU(協(xié)同處理器裝載)。
指令執(zhí)行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關系，
一般來說，一個掃描的過程中，故障診斷時間，
通信時間，輸入采樣和輸出刷新所占的時間較少，
執(zhí)行的時間是占了大部分QD70P8基礎知識。
光電耦合器由兩個發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號變化規(guī)律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程：當開關合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導通，向內(nèi)部電路輸入信號QD70P8(選型資料)。
當開關斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導通，導通程度與光信號的強弱有關。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號與輸入信號有線性關系。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應用程序多少的指標QD70P8(選型資料)。
通常以字或K字為單位。16位二進制數(shù)為一個字，
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數(shù)，
移位指令占2個字QD70P8(選型資料)。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個字。
輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC5~12V；16mA/點；512mA/公共端。
應答時間：0.5ms。
32點1個公共端。
漏型。
40針連接器。
帶保險絲。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間QD70P8選型手冊。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化QD70P8基礎知識。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。