UM：3K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)CS1W-NC233使用手冊(cè)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒CS1W-NC233電源電壓：AC100～120V,AC200～240VCS1W-NC233使用手冊(cè)。
備注：可切換。
符合歐盟指令。
只能用于C200H-CPU系列和C200HS-CPU系列。
協(xié)力造就能市場(chǎng)速度的生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。
為了構(gòu)筑用戶及銷售部門更方便的體系。
歐姆龍積極推進(jìn)現(xiàn)場(chǎng)情報(bào)化與標(biāo)準(zhǔn)化。
由windows版梯形程序作為windows環(huán)境中的工具統(tǒng)一CS1W-NC233使用手冊(cè)。
除適應(yīng)以太網(wǎng)外，對(duì)按照DeviceNet/D，必須提供通信協(xié)議宏的功能等。
由于這種環(huán)境的齊備，才實(shí)現(xiàn)了一呼即出、迅速順應(yīng)市場(chǎng)變化的生產(chǎn)環(huán)境。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等CS1W-NC233(選型資料)。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。輸入點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸入電壓：DC12V。
輸入電流：7mA/DC12V。
動(dòng)作電壓（ON電壓）：小DC8.0V。
動(dòng)作電壓（OFF電壓）：大DC3.0VCS1W-NC233(選型資料)。
輸入應(yīng)答時(shí)間（ON應(yīng)答時(shí)間）：1.5ms以下。
輸入應(yīng)答時(shí)間（OFF應(yīng)答時(shí)間）：1.5ms以下。
這是PLC控制器基本、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，
它取代傳統(tǒng)的繼電器電路，
實(shí)現(xiàn)邏輯控制、順序控制，既可用于單臺(tái)設(shè)備的控制，
也可用于多機(jī)群控及自動(dòng)化流水線CS1W-NC233(選型資料)。
如注塑機(jī)、印刷機(jī)、訂書(shū)機(jī)械、組合機(jī)床、磨床、包裝生產(chǎn)線、電鍍流水線等。
開(kāi)關(guān)量主要指開(kāi)入量和開(kāi)出量，是指一個(gè)裝置所帶的輔助點(diǎn)，
譬如變壓器的溫控器所帶的繼電器的輔助點(diǎn)、閥門凸輪開(kāi)關(guān)所帶的輔助點(diǎn)，
接觸器所帶的輔助點(diǎn)、熱繼電器，
這些點(diǎn)一般都傳給PLC或綜保裝置，
電源一般是由PLC或綜保裝置提供的，
自己本身不帶電源，所以叫無(wú)源接點(diǎn)，
也叫PLC或綜保裝置的開(kāi)入量。容量：32K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫(xiě)程序序和I/O數(shù)據(jù)CS1W-NC233選型手冊(cè)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)CS1W-NC233使用手冊(cè)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開(kāi)關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫(xiě)入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫(xiě)入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫(xiě)步。