輸入點數(shù)：伺服外部信號32點，8軸。
輸入方式：源型/漏型。
輸入輸出占用點數(shù)：32點。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界Q2MEM-2MBS使用方法。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程Q2MEM-2MBS
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域Q2MEM-2MBS使用方法。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。三相4線式。
測量電路數(shù)：1個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報警。量Q2MEM-2MBS使用方法。
在一個插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測量4個電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。通用型Q系列CPU用存儲卡保護置。
Q3MEM-4MBS-SET/Q3MEM-8MBS-SET捆綁產(chǎn)品。三相4線式。
測量電路數(shù)：3個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。
在一一個插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測量4個電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實施電能測量Q2MEM-2MBS使用說明書Q2MEM-2MBS使用說明書。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。